實驗級半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機

產(chǎn)品名稱: 實驗級半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機

產(chǎn)品型號: TR15M

產(chǎn)品特點: 實驗級半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M（文獻中具體型號為 TR15M-TRK1）是一款用于 300 mm 以下晶圓（或小樣片）的實驗級化學機械拋光（CMP）平臺，核心信息如下：
1. 設(shè)備定位
主要面向漿料開發(fā)、工藝驗證、小批量試產(chǎn)，可完成氧化硅、氮化硅、金屬（Cu、W）等薄膜的去除與平坦化。
2. 關(guān)鍵規(guī)格（

實驗級半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機 的詳細介紹

實驗級半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機

日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M（文獻中具體型號為 TR15M-TRK1）是一款用于 300 mm 以下晶圓（或小樣片）的實驗級化學機械拋光（CMP）平臺，核心信息如下：

1. 設(shè)備定位

主要面向漿料開發(fā)、工藝驗證、小批量試產(chǎn)，可完成氧化硅、氮化硅、金屬（Cu、W）等薄膜的去除與平坦化。

2. 關(guān)鍵規(guī)格（公開文獻值）

表格

復(fù)制

項目	參數(shù)
壓盤直徑	380 mm
最大樣片尺寸	40 mm × 40 mm（標準切片）
加壓方式	砝碼加載，常用 300 g f/cm2（≈ 29.4 kPa）
轉(zhuǎn)速	壓盤 90–100 rpm；保持器 90–110 rpm（同向旋轉(zhuǎn)）
漿料流量	50 mL/min（中心滴注）
典型去除速率	氧化硅膜 200–400 nm/min（視漿料而定）
工藝時間	1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系統(tǒng)組成

桌上型一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置蠕動泵、漿料槽、廢液盤，可放標準實驗室通風柜；
兼容市售聚氨酯拋光墊（IC-1000/Suba400 等），換墊無需拆主軸；
可升級終點檢測模塊（摩擦力或光學反射式），用于精確停磨。

4. 典型應(yīng)用文獻案例

氧化鈰漿料篩選：在 TR15M 上用 1 min 拋光，對比不同 CeO? 粒徑對氧化硅去除速率與缺陷影響；
低 k 介質(zhì) CMP：驗證低壓力（＜200 g f/cm2）條件下凹陷-腐蝕行為，為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)。

1. 設(shè)備定位

主要面向漿料開發(fā)、工藝驗證、小批量試產(chǎn)，可完成氧化硅、氮化硅、金屬（Cu、W）等薄膜的去除與平坦化。

2. 關(guān)鍵規(guī)格（公開文獻值）

表格

復(fù)制

項目	參數(shù)
壓盤直徑	380 mm
最大樣片尺寸	40 mm × 40 mm（標準切片）
加壓方式	砝碼加載，常用 300 g f/cm2（≈ 29.4 kPa）
轉(zhuǎn)速	壓盤 90–100 rpm；保持器 90–110 rpm（同向旋轉(zhuǎn)）
漿料流量	50 mL/min（中心滴注）
典型去除速率	氧化硅膜 200–400 nm/min（視漿料而定）
工藝時間	1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系統(tǒng)組成

桌上型一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置蠕動泵、漿料槽、廢液盤，可放標準實驗室通風柜；
兼容市售聚氨酯拋光墊（IC-1000/Suba400 等），換墊無需拆主軸；
可升級終點檢測模塊（摩擦力或光學反射式），用于精確停磨。

4. 典型應(yīng)用文獻案例

氧化鈰漿料篩選：在 TR15M 上用 1 min 拋光，對比不同 CeO? 粒徑對氧化硅去除速率與缺陷影響；
低 k 介質(zhì) CMP：驗證低壓力（＜200 g f/cm2）條件下凹陷-腐蝕行為，為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)。

1. 設(shè)備定位

主要面向漿料開發(fā)、工藝驗證、小批量試產(chǎn)，可完成氧化硅、氮化硅、金屬（Cu、W）等薄膜的去除與平坦化。

2. 關(guān)鍵規(guī)格（公開文獻值）

表格

復(fù)制

項目	參數(shù)
壓盤直徑	380 mm
最大樣片尺寸	40 mm × 40 mm（標準切片）
加壓方式	砝碼加載，常用 300 g f/cm2（≈ 29.4 kPa）
轉(zhuǎn)速	壓盤 90–100 rpm；保持器 90–110 rpm（同向旋轉(zhuǎn)）
漿料流量	50 mL/min（中心滴注）
典型去除速率	氧化硅膜 200–400 nm/min（視漿料而定）
工藝時間	1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜