日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器

產(chǎn)品名稱: 日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器

產(chǎn)品型號:

產(chǎn)品特點: 日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
?型號NanoCVD-8G（用于石墨烯合成）
?型號NanoCVD-8N（用于碳納米管）
無需使用大型制造設(shè)備，每批只需30分鐘即可輕松實現(xiàn)石墨烯/ CNT合成。
CVD方法（化學(xué)氣相沉積）
CVD法是已經(jīng)為多種目的而建立的穩(wěn)定技術(shù)，并且當(dāng)考慮將來石墨烯和CNT的大規(guī)模合成時是現(xiàn)實的方法。

日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器 的詳細(xì)介紹

日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器

特性

無需使用大型制造設(shè)備即可輕松進(jìn)行石墨烯/ CNT（SWNT）成膜實驗。
每批僅30分鐘！
冷壁型高效，高精度的過程控制
快速升溫：RT→1100℃/約3分鐘
具有高精度溫度流量控制和出色重現(xiàn)性的高性能機器
操作簡便！5英寸觸摸屏可進(jìn)行操作和配方管理
多可以創(chuàng)建和保存30個配方，30個合成程序步驟
軟件為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，輸出為CSV文件在PC上記錄數(shù)據(jù)
USB電纜連接，在PC端創(chuàng)建配方→可以上傳到設(shè)備

外型尺寸

主要規(guī)格

A.主要規(guī)格
1.反應(yīng)室	不銹鋼SUS304泄漏檢查
2.加熱階段	陶瓷制成
3.相應(yīng)的樣本量	20 x 40毫米
4.加熱加熱器	高純石墨加熱器Max1050℃
5.溫度控制	K型熱電偶標(biāo)準(zhǔn)附件（安裝在加熱臺下）

B.過程控制設(shè)備規(guī)格
1.氣體控制	質(zhì)量流量控制器x 3（Ar，H2，CH4）
2.壓力控制	20托FS
3.真空排氣	包括愛德華茲旋轉(zhuǎn)泵RV3（3立方米/小時）
4.操作面板	正面安裝5英寸觸摸屏（歐姆龍制造）
5.風(fēng)冷	用冷卻風(fēng)扇冷卻外殼內(nèi)部
6.控制系統(tǒng)	PLC自動過程控制

C.軟件（標(biāo)準(zhǔn)附件）
1. nanoCVD軟件	標(biāo)配（已安裝石墨烯的標(biāo)準(zhǔn)程序）
2.界面	USB 2.0連接
3.設(shè)置數(shù)	多30個配方，30個程序創(chuàng)建和保存步驟

D.氣體導(dǎo)入連接規(guī)格
1.工藝氣體	1/4英寸世偉洛克卡套管接口，用于Ar，H2，CH4 x 3
2.載氣	Φ6mm推鎖式管接頭，用于N2或Ar x 1

E.安全裝置
1.過熱	由加熱臺安裝熱電偶控制
2.機殼內(nèi)部過熱	從內(nèi)部溫度開關(guān)
3.氣壓異常	來自質(zhì)量流量控制器
4.真空度降低	來自真空傳感器

F.實用程序
電源	AC200V單相50 / 60Hz 13A
1.工藝氣壓	30psi 200sccm以下
2.載氣壓力	60-80磅/平方英寸

G.尺寸/重量
1.尺寸	405mm（寬）x 415mm（深）x 280mm（高）
2.重量	約27公斤

nanoCVD-8G（石墨烯）

納米CVD-8N（CNT）

帶旋轉(zhuǎn)泵的nanoCVD-8G

通過CVD化學(xué)氣相沉積法在短時間內(nèi)在金屬基底催化劑（Cu，Ni箔等）上合成單層石墨烯膜。nanoCVD-8G的基本操作方案是在石墨平臺上以醉高1100°C的高溫烘烤，并在減壓下供應(yīng)原料氣體（甲烷），氮氣和氫氣。

◇◆標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備配置◆◇