日本napson非接觸脈沖電壓激勵(lì)法超低電阻計(jì)
日本napson非接觸脈沖電壓激勵(lì)法超低電阻計(jì)
節(jié)省空間的設(shè)計(jì)主體外殼，便攜式可移動(dòng)平臺(tái)
通過(guò)PC（軟件）進(jìn)行簡(jiǎn)單的測(cè)量操作，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理
測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用（薄層電阻，電導(dǎo)率，電導(dǎo)率）進(jìn)行更改
*本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的脈沖電壓激勵(lì)方法（篆隸號(hào)5386394）。
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
與新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
與化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢(xún)）請(qǐng)給我）
測(cè)量尺寸
?A4尺寸（W300 x D210mm）
測(cè)量范圍
50μ?1mΩ/平方
節(jié)省空間的設(shè)計(jì)主體外殼，便攜式可移動(dòng)平臺(tái)
通過(guò)PC（軟件）進(jìn)行簡(jiǎn)單的測(cè)量操作，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理
測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用（薄層電阻，電導(dǎo)率，電導(dǎo)率）進(jìn)行更改
*本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的脈沖電壓激勵(lì)方法（篆隸號(hào)5386394）。
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
與新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
與化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢(xún)）請(qǐng)給我）
測(cè)量尺寸
?A4尺寸（W300 x D210mm）
測(cè)量范圍
50μ?1mΩ/平方
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