日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-
日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-
測量對象
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測量范圍
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總量程/ 500 um的厚度）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探頭類型的總量程）
*每種探頭類型的測量范圍，請參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
帶有手持式探頭的手動無損（渦流法）電阻測量儀
產品名稱：EC-80P（便攜式）
產品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產品特點
- 電阻可以通過簡單地接觸手持式探頭來測量。
- 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
- 通過JOG撥盤輕松設置測量條件
- 可更換的電阻測量探頭，帶連接器，適用于寬電阻范圍
- （電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）
測量規(guī)格
測量對象
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
無論樣品的大小和形狀如何，都可以進行測量（但是，大于20mmφ且具有平坦的表面）
測量范圍
[電阻率] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總量程/當厚度為500um時）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）
*每種探頭類型的測量范圍，請參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10-1000Ω/□（0.5-60Ω-cm）
（4）S-高：1000-3000Ω/□（60-200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5-500Ω /□（0。 2?15Ω-cm）
傳單
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非接觸式（渦流法）電阻率/薄層電阻測量儀，可通過個人計算機輕松操作
產品名稱：NC-10（NC-20）
產品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產品特點
- 通過PC節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
- 非接觸式渦流方法可實現(xiàn)無損測量
- 由于探頭是可拆卸和可更換的，因此您可以輕松地為每個范圍的探頭更換它。
- （*第二和后續(xù)電阻探頭可選）
- 中心1點測量
- 厚度/溫度校正功能（硅晶片）
測量規(guī)格
測量對象
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
3至8英寸，?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸，?210 x 210毫米）
測量范圍
[電阻率] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總量程/當厚度為500um時）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）
*每種探頭類型的測量范圍，請參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
DUORES手持式薄層電阻測量儀（2個探頭更換用[接觸型和無損測量探頭]）
產品名稱：DUORES
產品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產品特點
易于攜帶和測量的手持式薄層電阻測量裝置：DUORES
可以根據(jù)測量目標交換和使用兩種類型的探頭（非破壞性/接觸式）
•世界上地衣臺可以更換和使用兩種類型的探頭（無損型，接觸型）的便捷型薄層電阻測量儀 •
只需放置/應用探頭即可自動進行測量
•電池連續(xù)工作時間：24小時（*電池使用時）
•顯示數(shù)據(jù)項數(shù)：多100（*顯示醉心數(shù)據(jù)）
•保存的大數(shù)據(jù)數(shù)：50,000（*軟件顯示屏）
•測量數(shù)據(jù)傳輸功能：USB-Mini
•顯示：3個顯示單位（Ω/□，S /□，n / m [金屬膜厚度轉換]）， 4位浮點數(shù)（0.000至9999）
*僅出售身體+非破壞性探針，僅出售身體+接觸探針。
測量規(guī)格
測量對象
薄膜，玻璃，紙材料等
通常，可以在測量范圍內測量任何樣品。
•薄膜材料（ITO，TCO等）
•低電子玻璃
•碳納米管，石墨烯材料
•金屬材料（納米線，網格，網格）
•其他
測量尺寸
無論尺寸和厚度如何，都可以進行
測量（*每個探頭的測量點尺寸或更多）
<測量點>
?無損探棒（渦流型）：φ25mm
?接觸探針（4種探針）：9mm
測量范圍
?無損探棒（渦流方式）：0.5 -200Ω/ sq
?接觸式探棒（4探針方式）：0.1 -4000Ω/ sq
傳單
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非接觸型（脈沖電壓激勵法）超低電阻量程電阻測量系統(tǒng)
商品名稱：PVE-80
產品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產品特點
非接觸式電阻測量系統(tǒng)，采用脈沖電壓激勵方法作為測量原理，可在不損壞樣品的情況下進行測量
節(jié)省空間的車身外殼，便攜式可移動臺
通過PC（軟件）輕松進行測量操作和數(shù)據(jù)存儲/管理
測量顯示單元可以根據(jù)應用（薄層電阻，電導率，電導率）進行更改
*本產品使用本公司與千葉大學共同開發(fā)的測量方法：脈沖電壓激勵法（篆隸號5386394）。
測量規(guī)格
測量對象
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜（金屬，ITO等）
復合半導體（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*聯(lián)系我們請給我）
測量尺寸
?A4尺寸（W300 x D210mm）
測量范圍
50μ?1mΩ/平方
傳單
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